JIS C5630-30-2020 pdf download.マイクロマシン及びMEMS− 第30部：MEMS圧電薄膜の電気機械的変換特性の測定方法
1 適用範囲 この規格は，MEMS圧電薄膜デバイスにおけるマイクロアクチュエータ及びマイクロセンサに使われる薄膜材料の電気機械的変換特性の測定方法及び報告様式について規定する。この規格は，MEMSプロセスによって作成された圧電薄膜に適用する。
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。
IEC 62047-30:2017，Semiconductor devices−Micro-electromechanical devices−Part 30: Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of MEMS piezoelectric thin film（IDT） なお，対応の程度を表す記号“IDT”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“一致している”ことを示す。
2 引用規格 この規格には，引用規格はない。
3 用語及び定義 この規格で用いる主な用語及び定義は，次による。
3.1 ユニモルフはり（梁）（unimorph beam） 圧電性をもたない基板及び圧電薄膜で構成する組合せはり（梁）。
3.2 正圧電定数（direct transverse piezoelectric coefficient）（5630-30：2020 (IEC 62047-30：2017) 曲げ又は応力によって発生する電荷又は電圧から算出された圧電薄膜の圧電定数。
3.3 逆圧電定数（converse transverse piezoelectric coefficient） 電界又は電圧によって発生する曲げ又は応力から算出された圧電薄膜の圧電定数。
4 MEMS圧電薄膜の試験装置
4.1 一般 この圧電特性の測定方法は，ユニモルフはりを用いて実施する。図1に試験片を含むMEMS圧電薄膜の試験装置の構成を示す。表1に試験装置で使用する特性，シンボル及び項目名を示す。JIS C5630-30 pdf download.